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BSP149 H6327 /MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
BSP149 H6327的规格信息
BSP149 H6327的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:660 mA

Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.8 W

配置:Single

通道模式:Depletion

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.6 mm

长度:6.5 mm

系列:BSP149

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.5 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:400 mS

下降时间:21 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.4 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:5.1 ns

零件号别名:BSP149H6327XTSA1 SP001058818

单位重量:112 mg

供应商BSP149 H6327
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深圳市威雅利发展有限公司BSP149 H6327华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSP149 H6327深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSP149 H6327深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市凌特半导体科技有限公司BSP149 H6327广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司BSP149 H6327深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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万三科技（深圳）有限公司BSP149 H6327深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市星宇佳科技有限公司BSP149 H6327深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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BSP149 H6327连续漏极电流（Id）（25°C 时）：660mA 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：1V @ 400uA 漏源导通电阻：1.8Ω @ 660mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO396.76 Kbytes共9页BSP149 H6327的PDF下载地址无
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Mouser 贸泽电子		BSP149 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-31:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
1,000:¥3.9324
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立创商城		BSP149 H6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：660mA 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：1V @ 400uA 漏源导通电阻：1.8Ω @ 660mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道1+:￥6.73
200+:￥2.61
500+:￥2.52
1000+:￥2.47
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